EMPro是針對(duì)高端研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進(jìn)行高精度、高準(zhǔn)確性測(cè)量。可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜動(dòng)態(tài)生長(zhǎng)中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的絕對(duì)厚度測(cè)量。
EMPro采用了量拓科技多項(xiàng)專利技術(shù)。
特點(diǎn)
原子層量級(jí)的極高靈敏度
國(guó)際先進(jìn)的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)的極薄納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.01nm，折射率精度達(dá)到0.0001。
百毫秒量級(jí)的快速測(cè)量
國(guó)際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證極高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量，可滿足單原子膜層生長(zhǎng)的實(shí)時(shí)測(cè)量。
簡(jiǎn)單方便的儀器操作
用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行高級(jí)測(cè)量設(shè)置。
應(yīng)用
EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
EMPro可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
技術(shù)指標(biāo)
| 項(xiàng)目 | 技術(shù)指標(biāo) |
| 儀器型號(hào) | EMPro31 |
| 激光波長(zhǎng) | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測(cè)量重復(fù)性（1） | 0.01nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率測(cè)量重復(fù)性(1) | 1x10-4 (對(duì)于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測(cè)量時(shí)間 | 與測(cè)量設(shè)置相關(guān)，典型0.6s |
| 結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度） |
| 激光光束直徑 | 1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié)，步進(jìn)5° |
| 樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm |
| 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° |
| 樣品對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直和顯微對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) |
| 樣品臺(tái)尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
| 最大的膜層范圍 | 透明薄膜可達(dá)4000nm |
| 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān) |
| 最大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90o時(shí)) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺(tái) |
| 真空吸附泵 |
| 軟件 | ETEM軟件： |
| 中英文界面可選； |
| 多個(gè)預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用； |
| 單角度測(cè)量/多角度測(cè)量操作和數(shù)據(jù)擬合； |
| 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 |
| 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
注：(1)測(cè)量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
性能保證
高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進(jìn)的采樣方法以及低噪聲探測(cè)技術(shù)，保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對(duì)準(zhǔn)
穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn)，結(jié)合先進(jìn)的采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測(cè)量
分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和絕對(duì)厚度的測(cè)量
一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
準(zhǔn)確度測(cè)試
在入射角40°~85°范圍內(nèi)對(duì)Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測(cè)量值和理論擬合值如下圖所示：
可選配件
