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IMC200 離子注入機

  • 類 別：
  • 離子束刻蝕系統
  • 型 號：
  • IMC200
  • 訂貨號：
  • TP0001095

商品名稱：IMC200 離子注入機

  • 貨號：TP0001095
型號IMC200
應用設備主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能
注入晶圓尺寸6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不規則小片，最小可注入1 cm2的樣品。
注入能量范圍單價離子30KeV～200KeV，可升級二價/三價離子注入，注入能量可升級到400 KeV/600 KeV。
注入角度0°、7°，可通過手動更換夾具的方式來改變注入角度。
注入劑量范圍1×1011 at/cm2 ～ 1×1018 at/cm2
注入均勻性? 4”片內、片間1σ ≤ 1.0   % （注入條件：4英寸硅片，1000   ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×1014 at/cm2.）；

? 6”片內、片間1σ ≤ 1.0 %（注入條件：6英寸硅片，1000   ?氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1×1014 at/cm2）
真空度? 離子源：≥ 2×10-6 mbar（2 x10-4 Pa）；
? 束流管：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5 Pa）；
? 靶室：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5Pa）；
? 離子源真空系統初真空泵為化學干泵，高真空泵為渦輪分子泵；束流管及終端真空系統初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。
最大注入束流? 11B單價離子：≥   600μA；
? 31P單價離子：≥ 1500μA；
? 75As單價離子：≥ 1500μA。
（注入條件：6”晶圓，注入能量120KeV～200KeV）。
離子源氣路系統包含5路氣體：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統都集成在機器里面，能實時監控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。
軟件功能包括但不限于：權限管理、參數管理、手動控制、實時數據、數據記錄、報警管理等。軟件可根據需求免費更新升級。