可對(duì)樣品進(jìn)行單點(diǎn)、五點(diǎn)、九點(diǎn)、多點(diǎn)、直徑掃描、面掃描等模式的全自動(dòng)測(cè)試；
屏蔽測(cè)試，完全消除光線對(duì)樣品測(cè)試的影響，保證測(cè)量的準(zhǔn)確性；
吸附測(cè)試，完全消除全自動(dòng)測(cè)試過(guò)程中樣品移動(dòng)對(duì)測(cè)試的影響；
可不連接電腦使用進(jìn)行單點(diǎn)、中心五點(diǎn)、邊緣五點(diǎn)測(cè)試并把測(cè)試結(jié)果同時(shí)顯示于顯示屏；
RTS-1345型全自動(dòng)四探針測(cè)試系統(tǒng)是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合全自動(dòng)測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專(zhuān)用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專(zhuān)用儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、真空泵、屏蔽罩、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制進(jìn)行全自動(dòng)測(cè)試，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)采集到計(jì)算機(jī)中加以分析，以表格、圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
RTS-1345型四探針軟件測(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測(cè)試界面的用戶程序，通過(guò)此測(cè)試程序輔助使用戶簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試及獲得測(cè)試數(shù)據(jù)并對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
測(cè)試程序控制四探針測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量并采集測(cè)試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來(lái)。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。
技術(shù)指標(biāo)
電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴(kuò)展)；
方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：0.0005～10000 s/cm；
電阻：0.0001～2000Ω.cm；
間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見(jiàn)探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差( 按JJG508-87進(jìn)行): 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差：(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度： ≤5%
測(cè)試模式
溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無(wú)高頻干擾；
無(wú)強(qiáng)光直射；
