EMPro是針對高端研發和質量控制領域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。

EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的絕對厚度測量。

EMPro采用了量拓科技多項專利技術。

特點

• 原子層量級的極高靈敏度

• 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級的極薄納米薄膜，膜厚精度達到0.01nm，折射率精度達到0.0001。

• 百毫秒量級的快速測量

• 國際水準的儀器設計，在保證極高精度和準確度的同時，可在幾百毫秒內快速完成一次測量，可滿足單原子膜層生長的實時測量。

• 簡單方便的儀器操作

• 用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。

應用

• EMPro適合于高精度要求的科研和工業產品環境中的新品研發或質量控制。

• EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。

• EMPro可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。

技術指標

 注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。

性能保證

• 高穩定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了高穩定性和高準確度

• 高精度的光學自準直系統，保證了快速、高精度的樣品方位對準

• 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合先進的采樣技術，保證了快速、穩定測量

• 分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量

• 一體化集成式的儀器結構設計，使得系統操作簡單、整體穩定性提高，并節省空間

• 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用

準確度測試

在入射角40°~85°范圍內對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示： 

可選配件

• NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片

• NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片

• VP01真空吸附泵

• VP02真空吸附泵

• 樣品池